PZT厚度及氧化物电极界面层对PZT膜-CFO陶瓷复合结构磁电效应的调控

• 作 者: 王婧 吴霞 李峥 南策文
• 机 构: 南京航空航天大学航空宇航学院,机械结构力学及控制国家重点实验室,南京210016贵州大学理学院,贵阳550025清华大学材料学院,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084
• 出 处: 无机非金属材料高层论坛暨第7届无机非金属材料专题——先进电子材料研讨会
• 发表日期: 2015年8期

通过化学溶液沉积法在致密的CoFe2O4(CFO)陶瓷基片上制备不同厚度的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)膜.XRD显示出该方法可以避免传统高温烧结过程中的界面反应问题,不同样品中均可以得到明显的铁电、压电和磁电曲线.不同厚度PZT膜-CFO陶瓷复合体系中上述性能的差异也反应出厚度在层状磁电复合结构中的重要作用.另外,在PZT和CFO两相间引入导电LaNiO3(LNO)界面层,由于可以促进电学信号的有效导出,因而在PZT-LNO-CFO样品中得到高达155 mV/cm Oe的面内磁电耦合系数,该数值是同等条件下构建的无LNO界面层的PZT-CFO样品最大面内磁电耦合系数的2.6倍.如果进一步优化LNO界面层的厚度,则有望进一步提高面内磁电耦合系数.