Enlarged band gap in Yttrium-doped Sb2Te3 materials for phase-change memory applications

来源 :无机非金属材料高层论坛暨第7届无机非金属材料专题——先进电子材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tops881017

【作者】

：

【机构】

：

School of Materials Science and Engineering,Beihang University,Beijing 100191,China

【出处】

：

无机非金属材料高层论坛暨第7届无机非金属材料专题——先进电子材料研讨会

【发表日期】

：

2015年期

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