ZnS一维纳米材料的制备及光学性质研究

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nayitian1046906153

【摘要】

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ZnS 作为宽禁带半导体材料(纤锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.77eV,闪锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.72eV),已在紫外激光器、传感器、光电探测器等广泛应用.ZnS纳米线、纳米

【作者】

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卢俊峰曾祥华张伟

【机构】

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扬州大学物理科学与技术学院,扬州 225002

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

ZnS 一维纳米材料制备光学宽禁带半导体材料禁带宽度一维纳米结构紫外激光器

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ZnS 作为宽禁带半导体材料(纤锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.77eV,闪锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.72eV),已在紫外激光器、传感器、光电探测器等广泛应用.ZnS纳米线、纳米带表现出与块体材料不同的光电特性,引起了广泛关注.利用简单热蒸发方法,我们制备出了不同条件下的ZnS 一维纳米结构.

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