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  5. 间断掺杂N型层的引入对氮化物LED的性能改善

间断掺杂N型层的引入对氮化物LED的性能改善

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lzydcx
【摘 要】
：
本文报道了通过插入Si间断掺杂N型层,显著提升氮化物LED的发光效率以及静电放电(ESD)能力;并通过材料、电学、光学等各种测试,深入研究了其性能改善的机理.我们通过金属有机
【作 者】
：
郑致远 江灏 王钢 
【机 构】
：
光电材料与技术国家重点实验室,中山大学,广州,510006
【出 处】
：
中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
：
2012年期
【关键词】
：
间断 掺杂 氮化物 LED 样品 气相沉积方法 金属有机化学 周期 
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本文报道了通过插入Si间断掺杂N型层,显著提升氮化物LED的发光效率以及静电放电(ESD)能力;并通过材料、电学、光学等各种测试,深入研究了其性能改善的机理.我们通过金属有机化学气相沉积方法生长了两组样品,其中样品A是传统的LED,其N型层是均匀掺杂的;样品B则在均匀掺杂N型层与量子阱有源层中间插入了4个周期的Si间断掺杂层,每个周期为50nm.
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