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因可以利用外电场对二维电子气(2DEG)自旋轨道耦合(Spin-Orbit Interaction)强度进行调控使得构建各种自旋场效应晶体管(Spin-FET)和自旋器件成为可能1,2,Rashba效应受到广泛重视和研究.传统Rashba模型认为自旋分裂与二维电子气平面内波矢k成正比,但研究已经指出在窄禁带半导体量子阱中Rashba自旋分裂能对波矢k存在很强的非线性依赖关系3.