光谱稳定的InGaN基双蓝光波长发光二极管及其应用研究

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nayinian2688

【摘要】

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针对目前GaN基单蓝光芯片激发YAG:Ce3+黄光荧光粉的白光LED在低色温情况下存在显色性低的问题,提出在同一蓝宝石衬底上外延生长蓝绿光和蓝紫光发射的双蓝光发射芯片结构,并对

【作者】

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严启荣罗长得李正凯牛巧利李述体章勇

【机构】

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华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631

【出处】

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中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

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2012年9期

【关键词】

：

混合量子阱双蓝光波长芯片 YAG:Ce3+ 白光LED 显色指数

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针对目前GaN基单蓝光芯片激发YAG:Ce3+黄光荧光粉的白光LED在低色温情况下存在显色性低的问题,提出在同一蓝宝石衬底上外延生长蓝绿光和蓝紫光发射的双蓝光发射芯片结构,并对其在高显色性白光LED封装领域应用进行研究.对于GaN基材料,电子的迁移率远大于空穴的迁移率,造成电子和空穴在活性层分布不均,导致只有靠近p-GaN侧的量子阱对发光有贡献以及容易产生电子溢流现象.

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