高K栅介质相关论文
随着CMOS集成电路工艺已经来到5nm技术节点,传统的Si基MOSFET的特征尺寸和器件结构已经达到了它们的理论物理极限,从而限制了CMOS......
近年来,一维（1D）纳米结构由于其独特的理化性质、优异的传输特性、大的比表面积以及良好的稳定性而受到广泛关注。以In2O3为代表的1D......
随着CMOS技术节点按比例缩小逐渐走向终结,后摩尔时代新器件将影响和决定未来微电子器件技术发展和集成电路产业格局。传统Si O2栅......
随着器件尺寸的减小,用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中的高k栅介质受到广泛关注,而铪基高k材料由于其优越的电学性能,......
热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段.系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO2/SiO2......
比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管.实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优......
随着MOSFET特征尺寸的不断减小,Si基MOS器件的发展不断逼近其物理极限,栅极漏电的增加直接导致器件不能正常工作,为减小栅极漏电,......
采用脉冲激光沉积法制备Ni-Al-O或Ti-Al-O高k薄膜,采用溶胶-凝胶法制备PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3(PZT)铁电薄膜,构架了Pt/Ni-Al-O/Pt ......
通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型......
研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/H......
利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子......
研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用N离子轰击氮化Si衬......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开始逐......
