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随着集成电路的日益发展,生产工艺上铜已经成为首选的布线材料。目前,化学机械抛光（CMP）技术被认为是晶圆平坦化的最好方法之一。但......
在集成电路多层Cu互连化学机械抛光（CMP）后清洗工艺中,需要去除CMP时Cu表面的生成物和残留物,并保护互连金属Cu与阻挡层金属不被腐蚀......
微纳米颗粒的去除是半导体、微电子、微型机械、精密光学等高新技术中的关键问题,而常规清洗方法难以有效去 除。近年来国际上发展......
