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日前,德州仪器发布了45nm半导体制造工艺。TI在45nm工艺中采用了SmartReflex(TM)电源与性能管理技术,将智能化的自适应硅芯片、电......
IBM联盟开发出可在32纳米芯片中加速实现一种被称为“high-k/metal gate(高电介质金属栅极)”的突破性材料。这种新方法是基于被称......
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
台积电(TSMC)在IEDM2008上发布了28nm级工艺技术的开发正向量产顺利推进。该公司首次采用了高k及金属栅极(HKMG)技术。至此,大型半......
