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随着电力电子向高功率、大电流、高能量密度的方向快速发展，市场对于更高可靠性的氮化硅陶瓷覆铜基板的需求越来越迫切。界面空洞率......
随着新一代SiC基功率模块器件朝着高功率密度、高工作温度方向快速发展，具备更高可靠性的Si3N4-AMB基板已逐步替代传统的DBC基板，成......
期刊
在高速信号和热应力载荷作用下,球栅阵列封装(BGA)器件存在的焊点空洞大和焊接强度差等高发性缺陷,极易导致焊点破裂并引发器件故......
为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si3N4覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si3N4陶瓷与铜箔界面处的......
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利用VL020真空烧结炉,选用In焊料对半导体激光器芯片的焊接技术进行较为深入的研究,分别对焊接时气体保护、焊接前期芯片、热沉的......
双面PERC电池由于自身电池结构限制,具有较高的串联电阻.本文通过对该电池背面电极图形进行优化设计,发现在保证背面栅线总面积不......
