神经突触仿生相关论文
在纳米器件中,忆阻器(Memristor)因其独特的非线性电学特性在阻变存储和神经突触仿生领域中有广泛应用,吸引了很多学者的浓厚研究......
忆阻器是可以依靠电场驱动的器件电阻的连续变化来模拟神经突触权重变化的新型半导体器件,融合了存储和计算两种功能。因此,它的出......
忆阻器既能满足高密度信息存储和高性能计算对下一代电子存储器的需求,还具有非易失性逻辑运算和类脑神经形态计算的功能。因此,自......
忆阻器(Memristor)是蔡少棠提出的第四种基本电子元件。其电阻能够依据流过它的电荷量而改变。由于其独特的性能,对它的研究延伸到......
忆阻器是一种阻值随流经电荷量变化的新兴电子元件,其器件结构和工作机制与人脑神经突触相似,被视为人工突触仿生的理想电子元件。......
忆阻器自出现以来就受到了研究人员广泛的关注,有望开启神经形态计算和数据逻辑的新时代。但在忆阻器的发展过程中,在神经仿生、生......
忆阻器(Memristor)是指通过施加电压电流信号实现电阻可控转变的器件,具备存储计算功能。在存储器应用方向,忆阻器的一种重点应用......
近年来,忆阻器因其独特的非线性电学性能引起了极大的研究兴趣,特别是在阻变存储和神经突触仿生领域研究中有着广泛应用。然而传统......
目前大数据时代已经来临,人们对移动电子器件便捷、高速、可携带的需求日益增长,因此非易失性存储器已被越来越多的学者所关注。传......
