Ga2O3薄膜相关论文
采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜.利用X射线衍射仪和紫外-可见-红外分光光度计分别对Ga2O3薄膜的晶体结构......
近年来,日盲探测器因其背景噪声低及灵敏度高等优势,在光电子技术领域发挥了其不可替代的作用。Ga2O3作为一种新型宽禁带氧化物半......
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型的超宽禁带半导体材料,带隙约为4.9eV,相比于第三代半导体,具有禁带宽度更大、吸收截止边更短、生长成......
目前大数据时代已经来临,人们对移动电子器件便捷、高速、可携带的需求日益增长,因此非易失性存储器已被越来越多的学者所关注。传......
Ga_2O_3作为第三代宽禁带半导体,其具有较好的化学稳定性和热稳定性,在日盲紫外探测器、透明导电薄膜等方面表现出良好的发展前景......
Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体材料。除了优异光电特性外,Ga2O3材料还具有良好的热稳定性和化学稳定性。其中,单斜晶系的?-Ga2O3......
透明导电氧化物薄膜因为其在发光二极管、激光器、平面显示和薄膜太阳能电池等领域的具有广泛应用前景，得到了科研人员的重点研究。......
Ga_2O_3是一种宽禁带半导体材料,禁带宽度(E_g)为4.2～4.9 eV,其导电性能和发光特性长期以来一直受到人们的关注。Ga_2O_3有5种晶体......
用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)......
