碳化硅单晶衬底作为宽禁带半导体材料处于半导体产业链的前端,是制造器件的核心关键材料,在光电器件、功率器件和射频器件等领域具......

报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250mW时,得......

以国际金融公司(IFC)为首的投资机构日前在北京和晶能光电(晶能光电(江西)有限公司)进行增资的签约仪式,增资总额为5550万美元.......

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时......