真空蒸发法相关论文
超微粒子由于其本身具有的特殊性能及其在新材料合成、催化和微波吸收等方面的重要应用,近年来在国内外越来越引起重视并开展了广......
本文从实验上研究了用2MeV ~4He~+背散射对从几十nm到几个μm范围内的各种固体薄膜的厚度进行精确测量的方法。并对各种测量方法和......
Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体材料。除了优异光电特性外,Ga2O3材料还具有良好的热稳定性和化学稳定性。其中,单斜晶系的?-Ga2O3......
氧化钒薄膜及其在微电子与光电子领域中的应用已经成为国际上相关领域研究的热点之一。在某一特定的温度处,氧化钒薄膜发生金属-半......
采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了稀土Nd、Dy掺杂的CdTe薄膜,在氮气气氛中,分别在300℃、400℃、500℃下对薄膜进行热处理,并采用......
硫化锌(ZnS)是一种重要的宽禁带(室温下Eg约为3.7eV)直接带隙半导体材料。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳......
利用真空蒸发方法制备了ZnTe纳米多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Dy、Pr的掺杂。在自动控温扩散炉中有N_2保护的情况下......
本文采用真空蒸发法在石英玻璃上沉积了ZnS薄膜,并利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对制备的薄膜进行了表面结构和断面......
本文首次利用离子液体作为基底，采用真空蒸发方法,成功制备得到了具有独特微观结构的铝薄膜系统,深入系统地研究了此类薄膜系统的表......
