ZnS薄膜相关论文
ZnS作为一种宽带隙半导体,以其优异的光电性能近年来受到广泛关注,在太阳能电池、光催化剂以及传感器方面有着广阔的应用前景.本文......
随着科技的进步和社会的发展,人类对于能源的需求越来越大,传统化石能源的弊端与日俱增,极大地推动了人们作新能源领域的探索。近......
本文采用磁控溅射法结合硫化法制备了Zn S薄膜和Zn S:Cu薄膜,并使用XRD,SEM,EDS,AFM,拉曼光谱,慢正电子束多普勒展宽能谱和UV-Vis......
采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出ZnS薄膜.薄......
Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS是一种直接宽带隙半导体材料,光学带隙为3.7eV,有良好的光学和电学特性,无论是在光发射器件领域,还是在α粒子探......
采用化学水浴法(CBD)制备ZnS薄膜,用NKD-7000v薄膜分析系统测试薄膜的透过率和反射率,拟合出薄膜厚度和吸收系数。研究了制备过程......
采用反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜,然后经过不同条件退火和在H2S气氛中硫化最终得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪......
采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后将它们在H2 S气流中硫化得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪 (XRD)、......
采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及紫外/可见/近红外光谱仪对薄膜的结......
