直流偏压相关论文
弛豫铁电陶瓷(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3((1-x)PMN-xPT,PMN-PT)具有优良的电学性能和电-光性能,在多层陶瓷电容器、压电器件和光学装置......
氮化碳材料以其优异的特性受到大量研究者的重视,但N原子的百分含量及价键结构等的瓶颈限制了它的广泛应用。偏压辅助技术在促进sp......
本文主要阐述三点内容:1、设计搭建ICP放电线圈以在特定的真空室内产生高密度可持续的等离子体;2、在该等离子体环境中创新性地以......
基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔......
在不同直流偏压下,测试了[001]和[111]方向的PMN-32%PT单晶的介电温度谱,研究了其介电响应和相变行为。当施加的偏压在E=1.5~4.0kV/c......
采用标准电子陶瓷工艺,制备了CaCu_3Ti_(4-x)Al_XO_(12-x/2)(CCTAO,x=0,0.06,0.10,0.20)陶瓷样品,研究Al对CCTAO材料的微观结构和......
研究了强直流偏压场下的800nm飞秒激光电离空气等离子体产生的太赫兹波。通过改变直流偏置场的方向,使之垂直或平行于泵浦光偏振方......

