氧化退火相关硕士博士期刊学术论文 - 皮皮文库

氧化退火相关论文

SiC MOS的模拟、制备与表征

碳化硅是第三代半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，耐高压和耐高温以及抗辐射的优点，因此基于SiC的功率器件可以实现较小的导......

学位

MOS SiC 模拟界面陷阱密度氧化退火能级位置界面态密度后氧化 C-V曲线温度器件样品

镍在钨基合金的抗氧化层中的作用

以前的研究工作表明，在空气中600℃~ 800℃时，在钨溅射膜表面生长不同的氧化膜，并表明这层溅射膜的抗氧化性能可通过用其它过渡金属(......

期刊

钨基合金氧化层抗氧化性能涂层镍含量溅射膜氧化退火体心立方特征研究空气间隙元素尖晶石相过渡金属表面生长氧化膜葡萄牙结晶态合金化

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