总剂量辐照相关论文
对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究，讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下，输出电压、输出电流、......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT）是单片智能功率芯片中的最核心元件,采用SOI衬底可以有效提升器件的抗空间辐照能力,受......
随着科学技术的发展,特别是航天技术、核技术和军事技术的发展,对高性能、低体量、可以应用于各种恶劣的高温强辐射环境下的电力电......
辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化，影响其工作性能和可靠性。测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的......
高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等。通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、......
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件.针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋......
成功制作了5mm栅宽SiC MESFET，初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钻60γ射线，γ射线剂量率为3......
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I-V技术分离氧化物陷......
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感......
研究了在不同的温度和偏置条件下对SIMOX SOI MOSFET进行总剂量辐照的退火特性。结果发现,ON偏置时退火效应较显著,且高温时退火效......
