本文就大台面高电压、大电流晶闸管玻璃钝化，从理论和实践上闸述了钝化机理，系统介绍了台面造型、玻璃涂复、熔烧等工艺途径，并给出了......

碳化硅(SiC)半导体由于其优异的物理和电学特性,近些年越来越引起人们广泛地关注,是应用于高温、高压和大功率电子器件领域的热门......

题示Ⅰ前言Ⅱ普通热生长二氧化硅MOS器件的辐照效应一、MOS器件的永久性辐照响应二、MOS器件的瞬时辐照响应Ⅲ MOS器件的辐照加固......

一、问题的提出 随着半导体器件向着小尺寸,高集成度方向发展,许多新的工艺技术比如电子束曝光、ⅹ-射线曝光、离子注入、射频溅......

本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件......

一、引言MIS结构在半导体工艺控制和测量中已经得到广泛应用,尤其在半导体薄膜和界面研究方面更是不可缺少。要从C-V技术获得正确......

设计了metal-polysilane-silicon (MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V......

对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究.结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结......