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设计了metal-polysilane-silicon (MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C-V曲线明显向电压轴正向漂移.有希望设计成测定聚硅烷枝化度装置.
金属-聚哇烷-硅结构的电容-电压特性
【摘 要】
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设计了metal-polysilane-silicon (MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系,四川大学物理系,四川大学化学系
【出 处】
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物理化学学报
【发表日期】
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2004年期
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