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利用热蒸发物理气相沉积法在300K的硅基底上制备了p型多晶PbSe薄膜,研究了氧敏化过程对其微观结构和电性能的影响。经XRD、XPS和SE......
本文主要介绍了使用酸腐机对硅片进行的酸腐蚀实验。通过混酸的温度和混酸中溶液的配比的改变、相同的条件下也会得到不同的腐蚀速......
Al Ga As材料是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因其Al组分可调、与Ga As晶格失配小、载流子迁移率高,被认为是最重要的光电子和电......
真空蒸发在载玻片上沉积CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比为1:0.1:1.2)。摸索CuInS2薄膜发生导电类型转换最有效的热处理条件,研究不......
我们在学习磁场对运动电荷的作用--洛伦兹力的时候，物理课本中提到了其中的一个应用--霍尔效应。霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879......
【摘 要】介绍了区熔单晶的原理，列举了硅多晶气氛区熔基磷检验过程中电阻率和导电类型异常的几情况，并对异常情况进行原因分析，对实......
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n......
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