CuInS2薄膜相关论文
采用硫化Cu-In-S预制层方法制备出CuInS2、CuIn11S17及两相混合共存的薄膜,其中Cu-In-S预制层通过在含有不同Cu2 浓度的电解液中电......
太阳能作为清洁型新能源的主题，被赞誉为人类之父，具有非常广阔的开发前景。在所有的光伏器件中，CuInS_2是直接带隙半导体材料，吸光系......
本文研究了薄膜太阳能电池吸收层材料CuInS2和缓冲层材料In2S3的制备，并对薄膜层的物相、形貌、结晶度、界面结合强度等结构特征，以......
CuIn（S/Se）2（简称CIS）是一种直接带隙半导体材料，吸收系数高、带隙可调、转换效率高、性能稳定，并且具有优良的抗干扰、耐辐射能力而受到......
随着传统石化能源的日益减少,太阳能作为一种重要的可再生能源逐渐成为人们关注的热点。光伏发电是太阳能利用研究领域中最重要的......
CuInS2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体化合物,光吸收系数可达(1～6)×105cm-1,禁带宽度接近太阳能电池所需的最佳值(1.45eV),具有本征缺陷自......
新能源是人类社会实现可持续性发展的重要支柱和希望。其中,太阳能以其无污染、无噪音和来源稳定成为研究和应用的热点。特别是太......
CuInS2是一种ⅠB-ⅢA-ⅥA族化合物直隙半导体材料，它的结构、性质和制备方法都与目前人们广泛研究的具有黄铜矿相结构的CuInSe2吸收......
进入20世纪以来,人类工业文明的迅猛发展,使得由此引发的能源危机和环境污染成为亟待解决的问题。太阳电池直接将太阳能转换成电能......
单源真空共蒸发制备CuInS2薄膜,氮气保护对薄膜进行适当的热处理。研究不同Cu、In、S元素配比和热处理条件对薄膜性能的影响。采用......
将高纯Cu、In、S粉末按1:0.1:1.2配比混合均匀，置于钼舟中单源共蒸沉积CuInS2薄膜.氮气保护对CuInS2薄膜进行热处理，研究热处理工艺......
CuInS2材料是直接带隙半导体,禁带宽度为1.50eV,接近太阳光吸收的最佳带隙1.45eV,具有105cm1数量级的光吸收系数,是理想的太阳能电......
本文综述了CuInS2薄膜太阳电池的研究现状,系统的介绍了其晶体结构、电学、光学特性及其薄膜制备方法。研究了乙醇溶剂热法制备CuI......
在太阳能电池领域,越来越多的研究兴趣转向薄膜太阳能电池,电池的薄膜化是其必然发展趋势;从降低成本的角度考虑,薄膜太阳能电池被......
具有类黄铜矿结构的CuInS2属于直接带隙半导体材料,对可见光的吸收率很高,且对温度的变化不敏感,禁带宽度为1.50 eV,接近太阳电池......
本文基于生物矿化制备硫化铅(PbS)基础上,以溶液为媒介结合化学沉积,构建了一中新颖的化学沉积法制备无机功能材料的体系。此种方......
本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表......
将单质Cu、In和S粉末按一定比例均匀混合,单源共蒸发沉积CuInS2薄膜.氮气保护对薄膜进行热处理.研究不同热处理条件对薄膜表面形貌......
真空蒸发在载玻片上沉积CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比为1:0.1:1.2)。摸索CuInS2薄膜发生导电类型转换最有效的热处理条件,研究不......
采用硫化Cu-In-S预制层方法制备出CuInS2、CuIn11S17及两相混合共存的薄膜,其中Cu-In-S预制层通过在含有不同Cu2+浓度的电解液中电......
为考察具有Cu_7In_3相结构的Cu-In前驱膜对CuInS_2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu-In薄膜,并对制备态Cu-In薄膜在380℃进......
采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS......
