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近年来,半导体分立器件的设计技术、加工工艺、材料等不断取得新的突破,作为第三代电力电子半导体代表产品,IGBT(绝缘栅双极晶体管......
压接式IGBT因其通流容量大、便于串联、失效短路等优点,在不断推广的柔性直流输电领域中逐渐取代传统焊接式IGBT。在这样的高压应......
设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完......
为了改善高压功率器件的击穿电压、节省芯片面积,提出一种P-场限环结合P+补偿结构、同时与金属偏移场板技术相结合的高压终端技术......
设计了一个500V纯场限环终端结构。在保证击穿电压的前提下,为了尽可能减小终端结构所占的芯片面积,适当调整场限环终端的结构参数......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光......
