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近年来随着制作工艺的进步,人们可以制作出微纳米量级的光学器件。一些基于表面等离子体激元和局域表面等离子体的金属纳米结构(主......
本论文以ZnO材料为研究对像,以化学气相沉积(CVD)为实验手段,分别对一维ZnO材料的六角截面形成机理、场致电子发射性能和p型薄膜掺......
GaN纳米材料具有带隙宽、力学强度好、热导率高、物理和化学稳定性好、载流子迁移率高等优点，成为新一代化合物半导体材料的研究热......
场增强因子(β)是评价碳纳米管场发射性能的重要参数之一.本文介绍了几种计算β的模型,分析了各种因素对β的影响.通过对所得β表......
采用悬浮球模型,结合对称的镜像电荷层方法,对静电场中纳米碳管阵列的场增强因子进行了计算,并在考虑极板间距的情况下,对其计算结......
场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子......
为了更好的研究快脉冲真空闪络,宜选用指形电极结构.通过ANSYS有限元仿真和实验研究指形电极结构对快脉冲下真空沿面闪络特性的影......
利用有限元软件ANSYS,对碳纳米管的最佳阵列密度进行了分析。针对碳纳米管阵列静电场分布的特点,建立了碳纳米管的模型,确定了模型......
