GaN纳米线相关论文
以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体由于具有带隙宽（Eg=3.39 eV）、低的功函数（4.1 eV）,好的物理和化学稳定性,机械强度,以及低的电子......
随着物联网和人工智能产业的兴起,亟需低功耗、高稳定性的微纳传感器。目前,商用的半导体气体传感器通常采用金属氧化物（如SnO2）纳米......
Ga N纳米材料作为纳米功能器件的核心部件,其空间电荷层随外部条件的变化特征及电学性能对器件的设计以及使用都至关重要。本文利......
氮化镓(GaN)为Ⅲ-Ⅴ族性能优异的直接宽带隙半导体材料,具有功函数小、热导率高、物化性质稳定以及熔点高(1500℃)等特点,是一种很......
GaN是宽禁带直接带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,禁带宽度3.4eV,物理和化学性质稳定,热导率高、饱和电子飘移速率大、临界击穿电场高,电......
氮化镓(GaN)材料是一种优异的宽禁带半导体材料,由于其具有优良的光电特性,所以受到科技工作者的广泛关注。众所周知,GaN材料具有......
氮化镓(GaN)做为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物,因其优异的化学稳定性、高电子迁移率、高熔点、高热导率和禁带宽度等优点而在微电子和......
高速发展的电子信息行业助推了微电子技术进步。其中一维纳米半导体材料因独特结构表现出异于块体材料的物理化学新性能成为关注热......
GaN是一种直接宽带隙半导体材料,其禁带宽度为3.4 eV,有稳定的化学和物理性质,被应用在LED、激光二极管和紫外探测器及高功率器件......
