单粒子烧毁相关论文
功率半导体领域高速发展和迭代,对其核心的功率半导体器件提出了更高性能、更高稳定性的要求。作为功率半导体器件的一员,碳化硅功......
针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件抗单粒子辐射性能低的问题，开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研......
VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是功率器件重要的组成部分,也是构成电源开关、DC-DC变换器的核心器件......
由于施加高栅极工作电压,使得器件容易发生重离子辐射损伤效应,其中,重大的重离子辐射损伤效应是单粒子栅穿效应（SEGR）和单粒子烧毁......
碳化硅（SiC）材料是禁带宽度为3.2 e V的半导体材料,SiC基器件凭借着其材料所带来的优秀性能,能突破硅基器件性能极限,因此在大功率、......
第三代半导体碳化硅(Silicon Carbide,SiC)具有宽禁带、高临界电场、高热导率等优良的材料特性,SiC功率器件具有耐高温高压、低自......
在近些年,氮化镓(GaN)材料得到了大量的研究。作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有出色的性能,由GaN制成的器件得到了广泛的应......
功率VDMOS器件是航天器电源系统配套的核心元器件之一,在重粒子辐射下会发生单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应,严重影响航天......
构建了一个半径为0.05 μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的......
建立了功率MOS器件单粒子烧毁、栅穿效应的等效电路模型,介绍了模型参数提取方法.采用PSPICE电路模拟程序,对单粒子烧毁、栅穿效应......
针对SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）器件进行了抗辐照试验的研......
期刊
建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率M......
