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AlGaN插入层相关论文
GaN HEMT抗单粒子辐照加固结构模拟研究
在近些年,氮化镓(GaN)材料得到了大量的研究。作为第三代半导体材料的典型代表,GaN具有出色的性能,由GaN制成的器件得到了广泛的应......
学位
氮化镓
高电子迁移率晶体管
AlGaN插入层
单粒子烧毁
肖特基金属
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