半绝缘GaAs相关论文
半绝缘GaAs非线性模式(Lock-on模式)可以由激光触发,也可以通过电子束注入触发。在GaAs光电导开关中,非线性模式能够带来极大的电......
报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量......
研究了单(Si+)双(Si+/As+)离子注入半绝缘砷化镓(SI-GaAs)电激活的均匀性. 结果表明,LECSi-GaAs衬底中深电子陷阱能级(EL2)均匀性......
采用非接触式激光/微波光电导衰减技术 (LM-PCD) 对Φ50.8 mm双面抛光的半绝缘GaAs晶片的复合寿命进行了无损伤检测, 得到了有效载......
根据所建立的半绝缘(SI)GaAs的禁带宽度EgΓ公式,利用表面光伏(SPV)方法的测量结果,计算了室温下5种样品的EgΓ值,并对其中之一进......
通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边......
