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目前,OLED显示正朝着高色纯度和高分辨率的方向发展。在现有的技术中,提高电致发光色纯度的方法主要是通过滤光片或构筑特殊的光学......
用2,5-噻吩二羧酸、2,2’-联吡啶与稀土离子(RE=Eu,Dy,Pr)合成了稀土三元配合物。配合物分别用元素分析、差热分析和红外光谱分析......
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ......
根据物理气相传输法(PVT)AlN晶体生长特点及工艺要求,自主设计了AlN晶体生长炉及其配套热场。FEMAG软件热场模拟结果表明,自主设计......
报道了分子束外延生长 Ｈｇ０．６８ Ｃｄ０．３２ Ｔｅ 材料的光致发光测量结果。研究了原生样品和退火处理样品、以及氮离子注入样品的低温光致发光特征。对光......
表面等离子体共振(Surface Plasmon Resonance, SPR)传感技术具有无需标记、实时检测、微量灵敏等独特优点。近年来,该技术受到了......
采用加压改进Bridgman法生长出大直径 ( =40mm)MCT晶体。对所生长的晶体进行了双晶衍射回摆曲线测量 ,所测量样品的双晶衍射回摆......
采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到......
