蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

• 作 者: 肖红领 王晓亮 杨翠柏 胡国新 冉军学 王翠梅 张小宾 李建
• 机 构: 中国科学院半导体研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 氮化铟 MOCVD 半峰宽 迁移率

采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/(V·s).