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GaSb属于窄禁带Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,其禁带宽度为0.72eV,主要用于红外和近红外光纤、光敏器件、叠层电池下电池及热光伏发电。因为......
1引言rn大多数多晶硅太阳电池的减反射膜都是用增强的等离子化学气相沉积法(PECVD)沉积的掺氢氮化硅膜层(Sinx:H).和其它减反射膜(......
4.3 半导体键合技术(SBT)制备的四～五结叠层聚光电池rn2014年9月,德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道,他们采用SBT研制的四......
制备高效硅太阳能电池,需要在整个太阳光谱范围内进行有效陷光和保持低反射率.基于贵金属粒子湿法辅助刻蚀方法,在P型(100)单晶硅......
