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阐述在14nm FinFET及以下工艺，由于器件需要，较多制程刻蚀后关键尺寸为22nm。DUV光刻工艺关键尺寸的极限38nm左右。探讨在形成最终的......
随着集成电路中关键尺寸的不断减小，测量精度要求达到原子级才能保证器件的有效性，这给纳米线宽的精确测量带来了新的挑战。2018年第......
在线测量检测技术与装备是保证集成电路（IC）制造质量和良率的唯一有效技术手段，在IC制造过程中必须对IC纳米结构的关键尺寸、套刻误差......
摆线减速器作为一种新型减速器,可用于火炮炮塔传动机构、工业机器人、数控机床和雷达等方面.摆线偏心轴作为摆线减速器的核心零件......
期刊
四轮定位参数对底盘综合性能非常关键,参数角度受实物制造过程偏差影响,因此尺寸工程需要在前期设计阶段进行角度偏差校核。定位参......
为了避免塑料容器结构设计中依据经验确定尺寸带来的结构性能的不足,应用ANSYS Workbench中的Response Surface Optimization模块,......
随着芯片特征尺寸的减小,光刻成像技术的不断提高,而关键尺寸(CDs)的缩小则产生了更为精确的套刻精度.这些套刻精度在已随着工作台......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
1、产品及其简介rnNMC508A等离子体硅刻蚀系统是适用于8英寸集成电路生产线,面向逻辑和存储等多种电路制造的先进电感耦合等离子体......
1、简介rn项目名称:高压0.18μm先进工艺技术,rn该项目产品属于30V高工作电压的关键尺寸为0.18μm的逻辑器件.在8英寸硅片上经过32......
介绍了“J”形回料阀对CFB锅炉运行稳定性的影响,CFB锅炉J阀关键尺寸的确定方法,及CFB锅炉J阀配风系统设计经验。
The influence ......
本研究以人体工程学理论为基础,结合儿童青少年身体形态特征进行分析,通过采集儿童青少年身体形态数据,分析适合于儿童青少年使用......
集成电路制造中的光刻技术简而言之是将设计的图形转移到晶圆表面的技术.作为集成电路的制造工艺中的核心环节,随着线宽尺寸的减小......
针对光刻过程非线性、时变和产品质量不易在线测量的特性,提出了一种基于最小二乘支持向量机预测模型和微粒群滚动优化方法的批次......
本文主要从专利视角对申请量、申请人和分类号的分布进行统计分析,总结了与形成精细图案的定向自组装技术相关的国内和国外专利的......
本文以A319/320滑轨肋零件为例，根据该零件结构特点，介绍了典型肋板类零件如何确定工艺方案及关键尺寸控制方法。......
中国计量科学研究院经过多年研究,初步建立了国家纳米计量溯源体系,包括有:纳米几何结构计量标准装置、毫米级纳米几何结构计量标......
折弯模具刀口夹角、对称度及其中心到安装面中心距离的精密检测是确保折弯模具互换性的关键。根据数控折弯模具关键尺寸的特点,采......
