金属氧化物半导体为基础的薄膜晶体管具备迁移率高,均匀性好,工艺温度低等优点,因此在平板显示领域有广阔应用前景。IGZO等代表性......

日益严峻的能源短缺问题严重制约着全球经济的发展。基于此,一些可再生能源如风能,潮汐能,生物质能,太阳能等被陆续开发和利用。其......

氧化锌作为第三代半导体材料,以其优异的光电、压电等特性而备受研究人员的青睐。利用能带工程,在氧化锌基质晶格中掺入其它离子（Al......

采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27.5 nm的W/Si多层膜,使用实时应力测量装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力,采用W......

为研制真空紫外与极紫外波段Al基薄膜光学元件,详细研究了Al基薄膜的应力特性及其优化方法。利用应力实时测量装置对共溅射技术制......

随着微电子工业的发展,对器件低功耗、高性能化、尺寸微型化以及集成化等方面提出了更高的要求。近年来,一种新型介电材料,钛酸铜......

以激光照射下 Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ 四层结构为例， 基于麦克斯韦（ Ｍａｘｗ ｅｌｌ） 方程和坡印廷（ Ｐｏｙｉｎｇｔｉｎｇ）矢量定理， 提出了一种磁光盘片膜层结构的热学优化新方法。与常规的......

本文采用共溅射的方法在玻璃基底上制备了一系列不同金属体积分数x(0.48≤x≤1.00)的Ni-SiO2颗粒膜；采用单靶射频溅射的方法制备了......

在当今信息社会中，磁存储获得越来越广泛的应用。而且随着磁存储密度的不断提高，对于磁记录薄膜介质的结构和性能提出了越来越高的要......

Cu（In,Ga） Se2（CIGS）薄膜太阳能电池目前普遍采用具有In,Ga元素梯度的吸收层薄膜,这是由于吸收层中金属元素的梯度分布,使得吸收层形成......

详细描述一种等离子体高效溅射系统及应用工艺.此种崭新的溅射技术结合了蒸发镀的高效及溅射镀的高性能特点,特别在多元合金以及磁......

采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜，并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响，利......

采用磁控三靶共溅射的方法在玻璃衬底上沉积出了Cu-In-Al预制膜，后经硫硒化工艺得到了Cu （In,Al）（S,Se）2（CIASSe）薄膜吸收层，并利用XRD、ED......

为解决VO2薄膜相变温度过高,热滞回线温宽过大以及掺杂后红外透过率变低等问题,开展了低成本钨钒共溅热致变色薄膜制备工艺的探索......

以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、......

研究了一系列FeCoB-C02Z软磁薄膜在0.5～5.0 GHz频率范围内的噪声抑制特性,以及C02Z含量对FeCoB-C02Z软磁薄膜的反射系数S11、传输系......

采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27．5 nm 的 W／Si 多层膜，使用实时应力测量装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力，采用 W......