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采用磁控三靶共溅射的方法在玻璃衬底上沉积出了Cu-In-Al预制膜，后经硫硒化工艺得到了Cu （In,Al）（S,Se）2（CIASSe）薄膜吸收层，并利用XRD、EDAX、紫外-可见分光光度计等对薄膜样品结构、成分和光电性能进行了表征。研究了溅射功率、硫硒化温度及时间等工艺参数对CIASSe薄膜的结构、成分及光电性能的影响。结果表明：在CIA30W，Al60W，Cu50W三靶共溅的组合功率下，在540℃热处理，20 min后所得薄膜为贫铜的黄铜矿结构，晶体的晶化较好，晶粒沿着（112）晶向择优生长，薄膜成分接近理想的化学计量比，表面致密均匀，且其光学带隙约为1.40 eV，是性能较为良好的太阳能吸收层薄膜。