光发射谱相关论文
采用高H2稀释的SiH4等离子体放电,特别是甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅薄膜的主流方法.尽管在实验......
The optical emission spectra (atomic hydrogen (H'alpha', H'beta', H'gamma', atomic carbon C (2p3s-...
本文以脉冲激光烧蚀(PulsedLaserAblation，PLA)等离子体为主要研究对象，通过对PLA等离子体光谱的测量分析，考察PLA等离子体的时空演变......
采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不......
采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法在不同功率下制备了一系列硅薄膜材料,研究了材料晶化率和生长速度随功率变......
固体能带论将电子在晶格中的运动表述为布洛赫波(振幅受晶体周期调制的一系列不同波长k的平面波),它是近代固体物理学的范式之一.1......
运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓......
采用光发射谱(OES)测量技术,实时监测了不同本底真空制备条件下氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜沉积的氧污染程度.样品的X光电子能谱(XPS......
采用空间分辨光发射谱和傅里叶变换功率阻抗分析仪研究了衬底偏压和辉光功率对微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体光学与电学特性的影......
用光发射谱 (OES)和喇曼散射谱 (Raman)研究了VHF PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表明 :随功率增加 ,对应各基团峰的强度......
采用OMA-4000测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系.发现在放电......
采用光发射谱(OES)测量技术,对不同制备条件下的甚高频(VHF)等离子体辉光进行了在线监测.实验表明,VHF等离子体中特征发光峰(Si*,S......
