低温键合相关论文
硅（Si）和碳化硅（SiC）键合技术在微机电系统的封装和三维集成封装等领域有着重要的应用。然而,当下的键合方法仍然存在着高温、高成本和......
随着功率半导体技术的飞速发展,对功率半导体器件互联的要求越来越高。铜纳米颗粒可以在低温下烧结,在高温下长期工作,符合低温烧......
在过去的几十年里,电子器件朝高密度、高集成化发展,推动了微电子产业的不断发展与壮大。键合技术作为电子封装技术的核心,起着电......
低温Cu-Cu键合技术是实现电子器件和三维集成电路电互连、机械支撑和散热的关键技术。目前电子封装正朝着集成化、小型化、多功能......
随着芯片集成度不断提高、电子产品小型化，集成电路特征尺寸已逐渐趋近物理极限，材料、工艺等方面遇到了许多难以逾越的瓶颈，传统二维......
微电子产业在过去几十年遵循摩尔定律持续不断发展,然而,随着电子器件尺寸的减小及芯片集成度的提高,芯片特征尺寸趋近物理极限,传......
低温键合技术与其他键合技术相比,能够避免高温退火对器件造成的缺陷,在制作微机电系统(MEMS)器件、绝缘体上硅器件(SOI)以及压电......
第二代测序技术具有大量并行分析DNA序列信息的能力。一次测序反应可以同时获得数十万至数十亿条DNA片段上碱基信息，一次测序过程可......
石墨烯因为优异的电学、热学特性有望作为下一代的互连材料,但转移石墨烯表面通常会有PMMA残留的存在,这会影响器件的性能。因此,......
