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由Ⅳ族元素Ge、Sn组成的GeSn合金材料近年来受到了广泛关注,理论研究表明,当Sn组分高于6.3%时,GeSn合金可以转变为直接带隙材料,而......
本文首先对多晶硅薄膜的制备方法、应用前景进行了综述，同时对金属诱导非晶态硅晶化制备多晶硅的研究现状以及诱导机理与应用等进行......
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介绍了一种非晶硅 (a- Si)薄膜低温晶化的新工艺 :金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。研究了各种 a- Si/金属双层膜退火后的晶化情况。......
