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硫属氧化物铋铜硒氧(BiCuSeO)是一种层状结构的p型半导体材料,具有极低的本征热导率,在中高温热电领域有着重要的应用前景。目前国......
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氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以其优良的物理特性，ZnO薄膜在众多领域得到了广泛的应用。......
本文探索了用脉冲激光沉积(PLD)技术生长LiNbO_3薄膜。以光波导和声表面波应用作为前提,硅基高质量c轴取向薄膜为目标,我们分别在S......
六角磁铅石钡铁氧体薄膜材料由于其具有优异的化学稳定性、较高的饱和磁化强度、较高的矫顽力以及高的垂直磁晶各向异性场而被视为......
氧化锌(ZnO)是一种新型的宽禁带Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体材料,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜具有优良的光学、电学性能......
采用LiNbO3单晶靶材,以激光脉冲沉积方法在六方GaN(0001)基片上沉积制备c轴取向的LiNbO3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显......
在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的......
采用脉冲激光法 (PLD)在Si衬底上沉积Zn1 -xMgxO薄膜 .x射线衍射 (XRD)表明薄膜为c轴取向 ,(0 0 2 )峰的半高宽仅为 0 .2 11° ,且......
本文采用直流磁控反应溅射法,在单晶Si(110),Al/Si,Diamond/Si三种衬底上分别生长出了高度c轴取向的ZnO薄膜.此薄膜具有高质量的纳......
采用Sol-gel法,在普通载玻片上使用旋转涂覆技术生长了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜.用热分析、XRD、SEM等手段对薄膜样品进行了......
