【摘 要】
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M型钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19),BaM)属于六角晶系磁铅石型铁氧体材料,具有良好的化学稳定性、机械硬度和抗腐蚀性,高的垂直磁各向异性常数使之具有较高的矫顽力和饱和磁化强度,可广泛应用于高密度磁记录材料、永磁材料、微波器件、微波吸收材料等方面。BaM薄膜在磁记录和微波器件方面的应用越来越多,普遍要求BaM薄膜具有良好的c轴取向来提高磁记录的密度或得到较小的铁磁共振线宽。本文着重研究将B
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M型钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19),BaM)属于六角晶系磁铅石型铁氧体材料,具有良好的化学稳定性、机械硬度和抗腐蚀性,高的垂直磁各向异性常数使之具有较高的矫顽力和饱和磁化强度,可广泛应用于高密度磁记录材料、永磁材料、微波器件、微波吸收材料等方面。BaM薄膜在磁记录和微波器件方面的应用越来越多,普遍要求BaM薄膜具有良好的c轴取向来提高磁记录的密度或得到较小的铁磁共振线宽。本文着重研究将BaM薄膜集成在硅衬底上的c轴取向生长工艺,不同过渡层对取向生长的影响以及与微结构、磁性能、微波性能之间的
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