ZnO作为一种新型的II-VI族直接带隙半导体材料,其室温禁带宽度大、激子束缚能高等优点使ZnO在发光二极管(LEDs)、半导体激光器(LDs......

MgO和ZnO形成合金Zn_(1-x)Mg_xO的带隙可以在3.2-7.9eV之间变化，在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和Zn_(1-x)M......

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，属于六方纤锌矿结构。ZnO在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能，但是最具......

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有直接宽带隙(室温下3.37 eV)，属于六方纤锌矿结构。ZnO的禁带宽度宽，激子结合能为60meV，远高于......

极性ZnO基异质结中存在自发极化和压电极化现象,将会导致器件发光效率降低和发光波长红移。为了消除极性ZnO基材料中存在的极化现......

本文采用脉冲激光沉积(PLD)法分别在r面蓝宝石和p-Si基片上制备了Zn_(1-x)Mg_xO(x=0.1、0.3、0.5、0.7、0.9)薄膜和n-Zn_(0.5)Mg_(......

用电泳法制备了一系列ZnxMg1-xO薄膜.对ZnxMg1-xO薄膜的光致发光研究表明,在薄膜发射谱的紫外区域有两个显著的峰,分别对应自由激......

利用电感耦合等离子体(ICP)装置对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的Mg组分进行了测试.经理论分析,得到使......

利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄......

利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试.结合ICP法测得的......