X射线双晶衍射相关论文
ZnO是继Ⅲ-Ⅴ族GaN之后制作短波长发光器件的候选材料。目前p-i-n结ZnO-LED已初步实现，但是离实际应用还存在一定的距离。究其原因......
自20世纪90年代初GaN基LED研制成功以来，随着技术的发展，氮化镓基LED的性能取得了很多突破性进展，日亚公司于1995年宣布蓝光GaN基LED......
通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系
The relationship between the electrical properties and ......
对本实验室用MOCVD方法生长的未故意掺杂的GaN单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究.结果表明, 室温时GaN的X射线双晶衍射半高宽与......
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤......
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干......
用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了Mg_xZn_(1-x)O合金薄膜。在0≤x≤0.2范围内Mg_xZn_(1-x)O薄膜......
采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在......
采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出......
以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680℃时,利用常压MOCVD在GaN/A l2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力......
利用超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在 ６５０℃生长出表面光亮的 ＧｅＳｉ单晶 在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械系间串接 ４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境串接分子泵后生长的......
