为了研究SiO_xN_y光学薄膜在红外区的应用特性.文中采用PECVD技术沉积折射率为1.60的SiO_xN_y光学薄膜,设计制造了相同制备工艺参......

氮氧化硅(SiO_xN_y)有许多优良的特性,特别是其折射率可调、击穿电场高,因而在光学器件和深亚微米MOS技术方面有广阔的应用前景。......

MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏（GIDL）电流指数增强，本文报道N2O中退火SiO2（两步法）生成超薄（5．5nm）氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中......

研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室......

SiO_xN_y是一种重要的光学薄膜材料,其折射率变化范围是1.46~1.97,介于二氧化硅及氮化硅薄膜的折射率之间。SiO_xN_y材料广泛应用......