【摘 要】
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对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中,根据可缩放规律,由传统模型的参数推
【机 构】
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华东师范大学信息科学技术学院电子工程系,
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对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中,根据可缩放规律,由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8×0.6×12μm(栅指数×栅宽×元胞数量)、栅长为90 nm的MOSFET器件在1~40 GHz范围内的建模,测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合.
An improved small-signal model is proposed for a nano-MOSFET device.The skin effect of the feeder and the multi-cell structure of the device are comprehensively considered in the improved model.In the extraction process, according to the scalable law, The parameters of the model were used to derive the cell parameters.The model was applied to the modeling and testing of MOSFET devices with 8 × 0.6 × 12μm (gate index × gate width × number of cells) and gate length of 90 nm in the range of 1 ~ 40 GHz The resulting S-parameters and the S-parameters derived from the model simulation are highly consistent.
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