【摘 要】
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2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns。如果再
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2005年底索尼发布了一款高速存储器,它具备SRAM的运行速率、闪存的非易失性以及无限制的写入次数等特性。该存储器采用了非易失性的8Kbit存储单元阵列,写入时间为2ns。如果再进一步提高集成度,可替代45nm以下工艺的SRAM、DRAM等非易失性存储器。索尼的这款存储器属于MRAM的一种
At the end of 2005 Sony released a high-speed memory, which has the SRAM operating speed, flash non-volatile and unlimited number of writes and other characteristics. The memory uses a non-volatile 8Kbit memory cell array, write time of 2ns. If we can further improve the integration, can replace the 45nm process SRAM, DRAM and other non-volatile memory. Sony’s memory is a kind of MRAM
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