【摘 要】
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用低频内耗方法,结合简谐侧应力-超声衰减实验,详细地研究了纯Al的P_c内耗峰及其背底,对其机理提出了新的解释:P_c内耗峰是由于位错拖曳可动的点缺陷(PD_1)而引起的,而其背底
【机 构】
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瑞士联邦洛桑高等理工学院,瑞士联邦洛桑高等理工学院,冶金工业部有色金属研究总院,
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用低频内耗方法,结合简谐侧应力-超声衰减实验,详细地研究了纯Al的P_c内耗峰及其背底,对其机理提出了新的解释:P_c内耗峰是由于位错拖曳可动的点缺陷(PD_1)而引起的,而其背底内耗是由于位错从可动点缺陷PD_1脱钉(低于150K时)和从不可动的点缺陷(PD_2)脱钉(高于150K时)而引起的。
With the low-frequency internal friction method, combined with simplified harmonic stress-ultrasonic attenuation experiments, the internal friction peaks and the backs of P_c of pure Al were studied in detail. The new explanation was given to the mechanism of P_c internal friction peaks: the internal friction peak of P_c is due to the dislocation dragging Point defects (PD_1), whereas the back-end wear was due to dislocation of the PD 1 from the movable point (below 150K) and from the point of the immobile point (PD 2) (above 150K) Caused by.
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