【摘 要】
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使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的～10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所 上海交通大学应用物理系
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使用一种新的不含水的阳极氧化液生长出厚度均匀、重复性好的～10~2A GaAs、InP阳极氧化膜.XPS和 AES分析表明:GaAs 氧化膜表面和膜内组分均匀,Ga_2O_3/As_2O_3=1; InP一氧化物界面过渡区较窄,未见到富p现象.
A new, non-aqueous anodizing solution was used to grow ~ 10 ~ 2A GaAs and InP anodized films with uniform thickness and reproducibility.XPS and AES analysis showed that the GaAs oxide films had uniform surface and intragranular compositions, Ga 2 O 3 / As_2O_3 = 1; InP monoxide interface transition zone is narrower and no p-rich phenomenon is observed.
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