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提出了一种具有折叠硅表面SOI—LDMOS（FSOI—LDMOS）新结构．它是将硅表面从沟道到漏端的导电层刻蚀成相互排列的折叠状，且将栅电极在较薄的场氧化层上一直扩展到漏端．由于扩展栅电极的电场调制作用使FSOI-LDMOS在比一般SOI-LDMOS浓度高的漂移区表面，包括折叠硅槽侧面形成多数载流子积累，积累的多数载流子大大降低了漂移区的导通电阻．并且沟道反型层浓度基于折叠的硅表面而双倍增加，沟道导通电阻降低．通过三维仿真软件ISE分析，这种结构可以在低于40V左右的击穿电压下，获得超低的比导通电阻．