In2O3纳米线制备及其特性

• 作 者: 谢自力 张荣 高超 刘斌 李亮 修向前 朱顺明 顾书林 韩平
• 机 构: 南京大学物理系、江苏省光电功能材料重点实验室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2006年3期
• 关键词: IN2O3 纳米线 X射线衍射 扫描电子显微镜 In2O3 nanowires XRD SEM
• 基金项目: 国家重点基础研究发展规划（批准号：G2000068305）,国家高技术研究发展规划（批准号：2001AA311110,2003AA311060,2004AA311080）,国家自然科学基金（批准号：6039070,6039072,60476030）,国家杰出青年基金（批准号：60025411）和江苏省自然科学基金重点（批准号,BK2003203）资助项目

使用管式加热炉成功地制备出In2O3纳米线．通过扫描电子显微镜可以看到样品为In2O3纳米线；X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In2O3；X射线光电子谱分析发现该In2O3中存在大量氧缺陷；光致发光谱研究显示制得的In2O3纳米线有比较强的发光现象，主要集中在紫外光谱区．同时对反应的气相-固相（V-S）生长机理和In2O3的光致发光机理进行了详细分析．