【摘 要】
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在硅衬底上外延生长一层Si1-xGex合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si1-xGEx窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)
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在硅衬底上外延生长一层Si1-xGex合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si1-xGEx窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率.设计了一种以Si/Si1-xGex/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、VCB=7V、ICM≥180 mA、fT≥2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si1-xGex材料的优越性.
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