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单晶硅中注入高剂量的Ｃ＾＋离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成βＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ时，可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射，而且该蓝光发射随着电压的升高而增强。文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较，并讨论了其发光机理。